BEHLKE高壓開關以高壓半導體堆疊為核心,結合精密驅(qū)動與保護,在高耐壓、高峰值電流與納秒級切換之間取得平衡,廣泛服務于激光、醫(yī)療、脈沖功率、電磁與浪涌等場景。
器件與拓撲路線
采用SCR(晶閘管)或MOSFET堆疊的串聯(lián)/并聯(lián)結構,每個器件配備獨立門極驅(qū)動,實現(xiàn)高耐壓與大電流路徑的均壓/均流;在電容放電等應用中,當充電電流低于維持電流時可自動關斷,其他工況可通過電流切換、限流或旁路實現(xiàn)受控關斷,兼顧可靠性與可控性。
開關性能與實例
代表性型號如HTS 41-03-GSM,具備約10 ns的上升/下降時間與150 ns–∞可變脈寬,較大電壓2×4 kV、峰值電流2×30 A,適合對波形穩(wěn)定性與重復精度要求較高的應用;而HTS 2000-160在2000 V等級下實現(xiàn)納秒級上升時間(低至約0.8 ns)與數(shù)毫秒切換,峰值電流可達160 A,覆蓋更高電流與更復雜負載的脈沖需求。

快速響應與穩(wěn)定性機制
通過低電感布局、短粗走線與星型接地降低回路寄生;驅(qū)動器提供高隔離、輔助電壓監(jiān)控、頻率限制與溫度保護,異常即抑制并輸出TTL故障信號;固定導通時間版本具備短上升/傳播延遲與穩(wěn)定脈寬,對Pockels單元等應用尤為關鍵;器件采用主動控制(無雪崩)策略,避免傳統(tǒng)氣體放電管/火花隙的老化與壽命限制,確保溫度/電壓/負載變化下的可重復開關行為。
應用與工程建議
面向高重復頻率與高峰值電流,優(yōu)先選擇SCR堆疊并配合強制風冷/液冷;對超短脈沖與低抖動場景,優(yōu)選MOSFET方案并嚴格控制回路電感與觸發(fā)同步;布局時分離高壓與低壓走線、優(yōu)化去耦與接地,在軟件側(cè)啟用軟啟動、過壓限幅與故障聯(lián)鎖,確保系統(tǒng)在全工況下的安全與穩(wěn)定。